Тип памяти | DDR3 |
Объём памяти | 4 Гб |
Тактовая частота , МГц | 1600 |
Пропускная способность, Мб/с | 12800 |
Тайминги: | |
CAS Latency (CL) | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
Напряжение питания | 1.35 В |
Система охлаждения | Пассивная (радиатор) |